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IRF1104LPBF中文资料

IRF1104LPBF图片

IRF1104LPBF外观图

  • 大小：263.15KB
  • 厂家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：HEXFET Power MOSFET
  • 典型关断延迟时间：28 ns
  • 典型接通延迟时间：15 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：93 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds：2900 pF V @ 25
  • 安装类型：通孔
  • 宽度：4.69mm
  • 封装类型：TO-262
  • 尺寸：10.54 x 4.69 x 10.54mm
  • 引脚数目：3
  • 最低工作温度：-55 °C
  • 最大功率耗散：2400 mW
  • 最大栅源电压：±20 V
  • 最大漏源电压：40 V
  • 最大漏源电阻值：0.009
  • 最大连续漏极电流：100 A
  • 最高工作温度：+175 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：单
  • 长度：10.54mm
  • 高度：10.54mm

IRF1104LPBF供应商

更新时间:2023-01-11 18:37:44
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