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IRF1104LPBF中文资料

IRF1104LPBF图片

IRF1104LPBF外观图

  • 大小:263.15KB
  • 厂家:IRF [International Rectifier]
  • 描述:HEXFET Power MOSFET
  • 典型关断延迟时间:28 ns
  • 典型接通延迟时间:15 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs:93 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds:2900 pF V @ 25
  • 安装类型:通孔
  • 宽度:4.69mm
  • 封装类型:TO-262
  • 尺寸:10.54 x 4.69 x 10.54mm
  • 引脚数目:3
  • 最低工作温度:-55 °C
  • 最大功率耗散:2400 mW
  • 最大栅源电压:±20 V
  • 最大漏源电压:40 V
  • 最大漏源电阻值:0.009
  • 最大连续漏极电流:100 A
  • 最高工作温度:+175 °C
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:功率 MOSFET
  • 通道模式:增强
  • 通道类型:N
  • 配置:单
  • 长度:10.54mm
  • 高度:10.54mm

IRF1104LPBF供应商

更新时间:2023-01-11 18:37:44
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